กรุณาใช้ตัวระบุนี้เพื่ออ้างอิงหรือเชื่อมต่อรายการนี้: http://dspace.spu.ac.th/handle/123456789/3781
ชื่อเรื่อง: Shot noise due to carrier generation in planar metal-semiconductor-metal optical sensors structures
ผู้แต่ง/ผู้ร่วมงาน: Sanya Khunkhao
คำสำคัญ: Metal-semiconductor-metal structure
Shot noise
Noise ratio
Low-frequency Noise
Photocurrent
วันที่เผยแพร่: 4-สิงหาคม-2555
บทคัดย่อ: Low frequency 3-100 kHz shot noise (white noise) emerging from photoinduced current in Mo/n-Si/Mo structures leaving undepleted region has been observed under different bias and optical intensity conditions. The measurements revealed that the current noise observed depends not only on the illumination intensity levels but also on bias voltage. The current noise observed is expressed as 2()2SqIωΓ= and analyzed, where I and2Γis the average current and noise factor, respectively. The measurements reveal that2Γhas strong bias dependence, lying to about unity corresponding to simple shot noise. Such experimental results are explained, stating that the reduction of crosscorrelation between drift and diffusion currents and autocorrelation of drift current component determining the level of noise occurs with decrease in SCR width bias-dependent. To explain the behavior of observed noise more properly, we propose, in addition to the mechanisms above, that the reduction in autocorrelation effect of each current component plays an important role to decrease the relevant noise to such extremely low levels.
URI: http://dspace.spu.ac.th/handle/123456789/3781
ปรากฏในกลุ่มข้อมูล:EGI-04. บทความที่ประชุมวิชาการ (ระดับนานาชาติ)

แฟ้มในรายการข้อมูลนี้:
แฟ้ม รายละเอียด ขนาดรูปแบบ 
ICAS-shot noise.pdf414.31 kBAdobe PDFดู/เปิด


รายการทั้งหมดในระบบคิดีได้รับการคุ้มครองลิขสิทธิ์ มีการสงวนสิทธิ์เว้นแต่ที่ระบุไว้เป็นอื่น