กรุณาใช้ตัวระบุนี้เพื่ออ้างอิงหรือเชื่อมต่อรายการนี้:
http://dspace.spu.ac.th/handle/123456789/3782
ชื่อเรื่อง: | Optical profiling on lateral spreading of spacecharge-region metal-semiconductor-metal structures |
ผู้แต่ง/ผู้ร่วมงาน: | Sanya Khunkhao |
คำสำคัญ: | Optical profiling lateral spreading |
วันที่เผยแพร่: | 4-สิงหาคม-2555 |
บทคัดย่อ: | Optical profiling on lateral spreading of space-chargeregion properties of Schottky-barrier metal-semiconductormetal (MSM) structures have been investigated experimentally. Making use of a planar molybdenum/n-type silicon /molybdenum (Mo/n-Si/Mo) MSM structure with a wide electrode separation, one-dimensional (1D) profiling of optical– beam intensity distribution from a helium-neon (He-Ne) laser was carried out. It was also confirmed that, in addition to existing photosensing function, the sensitivity (output photocurrent) of such a structure could be controlled by an applying bias via lateral spreading of the surface space-chargeregion (SCR) at the side of the Schottky-junction reversebiased. |
URI: | http://dspace.spu.ac.th/handle/123456789/3782 |
ปรากฏในกลุ่มข้อมูล: | EGI-04. บทความที่ประชุมวิชาการ (ระดับนานาชาติ) |
แฟ้มในรายการข้อมูลนี้:
แฟ้ม | รายละเอียด | ขนาด | รูปแบบ | |
---|---|---|---|---|
ECTI2007.pdf | 268.2 kB | Adobe PDF | ดู/เปิด |
รายการทั้งหมดในระบบคิดีได้รับการคุ้มครองลิขสิทธิ์ มีการสงวนสิทธิ์เว้นแต่ที่ระบุไว้เป็นอื่น