การศึกษาสมบัติของความต้านทานจดจำทางโดเมนเวลาด้วยวงจรอนุกรม RLC

Abstract

งานวิจัยนี้เพื่อศึกษาวงจรจำลองเมมรีสเตอร์ วงจรขยายทรานคอนดักแตนซ์ วงจรออปแอมป์ ตัวต้านทาน ตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวนำ วงจรจำลองเมมรีสเตอร์สามารถทดสอบที่ย่านความถี่ต่ำ 3.5 Hz - 30 Hz สัญญาณอินพุทแบบไซนด์ 5 Vp-p ด้วยการทดลองร่วมกับอุปกรณ์แอคทีฟและพาสซีฟ ยิ่งไปกว่านั้นจะพบว่า วงจรขยายทรานคอนดักแตนซ์ สามารถปรับกระแสไฟฟ้าด้วยกระบวนการทางอิเล็กทรอนิกส์ โดยใช้วงจรสายพานกระแส จากผลของการจำลองวงจรจำลองเมมรีสเตอร์พบว่ามีการลดลงและเพิ่มขึ้นด้วยการเชื่อมต่อกับอุปกรณ์พาสซีฟ พบว่ามีคุณสมบัติของฮีสเทอรีซิสที่ขึ้นอยู่กับความถี่ และสามารถแสดงการเปลี่ยนค่าของตัวเก็บประจุและความฟลักซ์สนามแม่เหล็ก ผลที่ได้ของวงจรจำลองเมมรีสเตอร์ด้วย LDR แสดงพฤติกรรมของเมมคาปาซิเตอร์และเมมอินดักเตอร์ที่โดเมนเวลา นอกจากนี้ด้วยการเชื่อมต่อตัวต้านทาน ตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวนำอย่างอนุกรมได้แสดงคุณลักษณะฮีสเทอรีซีสของระหว่างแรงดันอินพุทกับกระแสบางส่วนที่ไหลเข้าไปในวงจรการจดจำในการเป็นหน่วยความจำ