กรุณาใช้ตัวระบุนี้เพื่ออ้างอิงหรือเชื่อมต่อรายการนี้:
http://dspace.spu.ac.th/handle/123456789/6581
ชื่อเรื่อง: | Avalanche Gain and Shot Noise in Silicon-based Planar MSM Structures |
ผู้แต่ง/ผู้ร่วมงาน: | Sanya Khunkhao Aphichata Thongrak Korn Puangnak Wanchai Chankaipol |
คำสำคัญ: | photocurrent shot noise MSM photodiode |
วันที่เผยแพร่: | 21-พฤศจิกายน-2561 |
สำนักพิมพ์: | The 41st Electrical Engineering Conference (EECON-41) |
หมายเลขชุด/รายงาน: | - - |
บทคัดย่อ: | The properties of planar metal-semiconductor-metal (MSM) optical sensor structures on dc photocurrent gain have been investigated an experimentally. The structure has two co-planar Mo/n-Si Schottky-barrier junctions on silicon of resistivity 9-12 Ω-cm and the electrode separation is 2000 µm. The current-voltage (I-V) characteristics measurements under illumination in visible range showed a rapid increase in photocurrent at higher biases examined. The dependence of I-V characteristics and noise measurements, such photocurrent increased was ascribed to avalanche multiplication of carriers photogenerated in the Schottsky junction as applied reverse-biased. From low-frequency (10-50 kHz) signal measurements, it was found that multiplication factor larger than 100 at 10 kHz and 30 at 50 kHz was achieved. |
รายละเอียด: | - |
URI: | http://dspace.spu.ac.th/handle/123456789/6581 |
ISSN: | - |
ปรากฏในกลุ่มข้อมูล: | EGI-05. บทความที่ประชุมวิชาการ (ระดับชาติ) |
แฟ้มในรายการข้อมูลนี้:
แฟ้ม | รายละเอียด | ขนาด | รูปแบบ | |
---|---|---|---|---|
2. Avalanche gain and shot noise in silicon-based planar MSM structures.pdf | 1.37 MB | Adobe PDF | ดู/เปิด |
รายการทั้งหมดในระบบคิดีได้รับการคุ้มครองลิขสิทธิ์ มีการสงวนสิทธิ์เว้นแต่ที่ระบุไว้เป็นอื่น