Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.spu.ac.th/handle/123456789/836
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorSanya Khunkhao-
dc.date.accessioned2551-02-25T07:11:49Z-
dc.date.available2551-02-25T07:11:49Z-
dc.date.issued2006-11-09-
dc.identifier.urihttp://dspace.spu.ac.th/handle/123456789/836-
dc.description.abstractผลการเพิ่มขึ้นของกระแสแสงแบบตรง (DC photocurrent) ซึ่งเป็น สมบัติของตัวตรวจจับทางแสงโครงสร้างเชิงราบ โลหะ-สารกึ่งตัวนำ-โลหะ จากรอยต่อแบบช็อตต์คีย์สองรอยต่อเชิงราบระหว่างโมลิบดีนัม/ซิลิคอน (Mo/Si) บนฐานรองซิลิคอนชนิดเอ็น (n-type)มีสภาพความต้านทาน 9-12 Ωcm โดยมีระยะห่างระหว่างขั้วไฟฟ้าเท่ากับ 20 μm การวัดสมบัติระหว่าง กระแสกับแรงดันภายใต้ความเข้มแสงย่าน visible light แสดงถึงการเพิ่มขึ้น ในกระแสแสงอย่างรวดเร็วที่แรงดันไบอัสสูง และผลจากสมบัติของกระแส กับแรงดันที่ขึ้นกับอุณหภูมิ (Temperature dependence) และการวัดสัญญาณ รบกวน พบว่ากระแสแสงนั้นมีการเพิ่มขึ้นเนื่องจากผลของการทวีคูณแบบอะ วาลันซ์ จากประจุพาหะที่เกิดขึ้นที่ภายในรอยต่อช็อตต์คีย์ที่ขั้วไฟฟ้าด้านที่ ได้รับการไบอัสย้อนกลับ นอกจากนั้นจากการทดสอบวัดการตอบสนองของ สัญญาณไฟฟ้าแบบสลับที่ความถี่ต่ำ 10kHz และ 50kHz พบว่าเฟคเตอร์ของ การทวีคูณ(Multiplication factor) มีมากเกินกว่า 100 ที่ความถี่ 10kHz และ 30 ที่ความถี่ 50kHzen_US
dc.relation.ispartofseriesPH06en_US
dc.subjectphotonicsen_US
dc.titlePhotocurrent enhancement in silicon-based planar metal-semiconductor-metalen_US
dc.typeArticleen_US
Appears in Collections:บทความวิชาการ

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
PH06.pdf938.35 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.