กรุณาใช้ตัวระบุนี้เพื่ออ้างอิงหรือเชื่อมต่อรายการนี้:
http://dspace.spu.ac.th/handle/123456789/6608
ชื่อเรื่อง: | วงจรจำลองความต้านทานจดจำโดยใช้ความต้านทานปรับค่าได้ทางแสง |
ชื่อเรื่องอื่นๆ: | Emulator circuit of Memristor based on using Light Dependent Resistor |
ผู้แต่ง/ผู้ร่วมงาน: | สัญญา คูณขาว อภิชฎา ทองรักษ์ กร พวงนาค ปรากฤต เหลี่ยงประดิษฐ์ วันชัย จันไกรผล |
คำสำคัญ: | หน่วยความจำ ฟลักซ์สนามแม่เหล็ก ประจุไฟฟ้า |
วันที่เผยแพร่: | 30-ตุลาคม-2019 |
สำนักพิมพ์: | การประชุมวิชาการทางวิศวกรรมไฟฟ้า ครั้งที่42 |
แหล่งอ้างอิง: | สัญญา คูณขาว อภิชฎา ทองรักษ์ ปรากฤต เหลี่ยงประดิษฐ์ วันชัย จันไกรผล. (2562). วงจรจำลองความต้านทานจดจำโดยใช้ความต้านทานปรับค่าได้ทางแสง. ใน การ ประชุมวิชาการทางวิศวกรรมไฟฟ้า ครั้งที่42. จังหวัดนครราชสีมา |
หมายเลขชุด/รายงาน: | EL04 |
บทคัดย่อ: | จากพื้นฐานของไฟฟ้าที่มีอุปกรณ์แบบสองขั้วไฟฟ้า ที่เป็นพาสซีฟ 3 ชนิดได้แก่ ตัวต้านทาน ตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวซึ่งได้มีการวิเคราะห์อย่างต่อเนื่อง ต่อมาในปี 1971 ได้มีการนำเสนอและอธิบายถึงอุปกรณ์ชนิดใหม่ คือเมมรีสเตอร์ที่สร้างจากสารกึ่งตัวนำที่มีความสัมพันธ์ระหว่างฟลักซ์แม่เหล็กและประจุไฟฟ้า งานวิจัยนี้มีวัตถุประสงค์เพื่อศึกษาการจำลองวงจรเมมรีสเตอร์ ด้วยพื้นฐานการควบคุมฟลักซ์เพื่อทราบแรงดันที่สัมพันธ์กันกับฟลักซ์สนามแม่เหล็ก โดยวงจรจำลองที่นำเสนอประกอบด้วย วงจรขยายทรานคอนดักแตนซ์ วงจรออปแอมป์ ตัวต้านทาน ตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวนำ จากผลของวงจรจำลองเมมรีสเตอร์พบว่ามีการลดลงและเพิ่มขึ้นของกระแส ด้วยการเชื่อมต่อในวงจรอนุกรม ยิ่งไปกว่านั้นระดับกระแสกับแรงดันปรากฎผลของฮีสเทอรีซิส ที่ขึ้นอยู่กับความถี่และระดับแรงดันอินพุทที่เป็นสถานะของการเปิดและปิด ในลักษณะโดเมนเวลาโดยการแสดงถึงลักษณะของสถานะหน่วยความจำ |
รายละเอียด: | - |
URI: | http://dspace.spu.ac.th/handle/123456789/6608 |
ISSN: | - |
ปรากฏในกลุ่มข้อมูล: | EGI-05. บทความที่ประชุมวิชาการ (ระดับชาติ) |
รายการทั้งหมดในระบบคิดีได้รับการคุ้มครองลิขสิทธิ์ มีการสงวนสิทธิ์เว้นแต่ที่ระบุไว้เป็นอื่น