1. Knowledge Bank at Sripatum University
  2. School of Engineering
  3. EGI-05. บทความที่ประชุมวิชาการ (ระดับชาติ)
Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.spu.ac.th/handle/123456789/6609
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorอภิชฎา ทองรักษ์th_TH
dc.contributor.authorสัญญา คูณขาวth_TH
dc.contributor.authorปรากฤต เหลี่ยงประดิษฐ์th_TH
dc.contributor.authorวันชัย จันไกรผลth_TH
dc.date.accessioned2020-03-09T08:38:17Z-
dc.date.available2020-03-09T08:38:17Z-
dc.date.issued2019-10-30-
dc.identifier.citationสัญญา คูณขาว อภิชฎา ทองรักษ์ ปรากฤต เหลี่ยงประดิษฐ์ วันชัย จันไกรผล. (2562). การศึกษาสมบัติของความต้านทานจดจำทางโดเมนเวลาด้วยวงจรอนุกรม RLC. ใน การ ประชุมวิชาการทางวิศวกรรมไฟฟ้า ครั้งที่42. จังหวัดนครราชสีมาth_TH
dc.identifier.issn--
dc.identifier.urihttp://dspace.spu.ac.th/handle/123456789/6609-
dc.description-th_TH
dc.description.abstractในงานวิจัยเพื่อศึกษางวงจรจำลองเมมริสเตอร์ ด้วยวงจรขยายทรานคอนดักแตนซ์ ออปแอมป์ ตัวต้านทาน ตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวนำ วงจรจำลองเมมริสเตอร์สามารถทดสอบได้ด้วยการทดลองร่วมกันกับอุปกรณ์แอคทีฟและพาสซีฟ ยิ่งไปกว่านั้นจะพบว่าวงจรขยายทรานคอนดักแตนซ์ถูกนำมาใช้เพื่อปรับกระแสไฟฟ้าด้วยกระบวนการทางอิเล็กทรอนิกส์โดยใช้วงจรสายพานกระแส จากผลของการจำลองวงจรเมมริสเตอร์ พบว่ามีการลดลงและเพิ่มขึ้นในการเชื่อมต่อในวงจรอนุกรม พบว่ามีคุณสมบัติของฮีสเทอเรซิส (hysteresis) ที่ขึ้นอยู่กับความถี่ และสามารถแสดงการเปลี่ยนค่าของตัวเก็บประจุและความฟลักซฺสนามแม่เหล็ก ผลลัพธ์ที่ได้ของวงจรจำลองเมมรีสเตอร์ด้วย LDR ได้แสดงผลของเมมคาปาซิสเตอร์และเมมอินดักเตอร์ที่โดเมนเวลาของวงจร ด้วยตัวต้านทาน ตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวนำที่ต่อเชื่อมอย่างอนุกรมได้แสดงปรากฏการณ์ทางคุณลักษณะที่เกี่ยวข้องกับหน่วยความจำth_TH
dc.description.sponsorship-th_TH
dc.language.isothth_TH
dc.publisherการประชุมวิชาการทางวิศวกรรมไฟฟ้า ครั้งที่42th_TH
dc.relation.ispartofseriesEL05th_TH
dc.subjectวงจรขยายทรานคอนดักแตนซ์th_TH
dc.subjectฮีสเทอเรซิสth_TH
dc.subjectประจุไฟฟ้าth_TH
dc.titleการศึกษาสมบัติของความต้านทานจดจำทางโดเมนเวลาด้วยวงจรอนุกรม RLCth_TH
dc.title.alternativeStudy on Memristor Emulator on Time domain based on RLC Circuitsth_TH
dc.typeArticleth_TH
Appears in Collections:EGI-05. บทความที่ประชุมวิชาการ (ระดับชาติ)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
EL05.pdf19.33 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.