DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
กรุณาใช้ตัวระบุนี้เพื่ออ้างอิงหรือเชื่อมต่อรายการนี้:
http://dspace.spu.ac.th/handle/123456789/6609| ชื่อเรื่อง: | การศึกษาสมบัติของความต้านทานจดจำทางโดเมนเวลาด้วยวงจรอนุกรม RLC |
| ชื่อเรื่องอื่นๆ: | Study on Memristor Emulator on Time domain based on RLC Circuits |
| ผู้แต่ง/ผู้ร่วมงาน: | อภิชฎา ทองรักษ์ สัญญา คูณขาว ปรากฤต เหลี่ยงประดิษฐ์ วันชัย จันไกรผล |
| คำสำคัญ: | วงจรขยายทรานคอนดักแตนซ์ ฮีสเทอเรซิส ประจุไฟฟ้า |
| วันที่เผยแพร่: | 30-ตุลาคม-2019 |
| สำนักพิมพ์: | การประชุมวิชาการทางวิศวกรรมไฟฟ้า ครั้งที่42 |
| แหล่งอ้างอิง: | สัญญา คูณขาว อภิชฎา ทองรักษ์ ปรากฤต เหลี่ยงประดิษฐ์ วันชัย จันไกรผล. (2562). การศึกษาสมบัติของความต้านทานจดจำทางโดเมนเวลาด้วยวงจรอนุกรม RLC. ใน การ ประชุมวิชาการทางวิศวกรรมไฟฟ้า ครั้งที่42. จังหวัดนครราชสีมา |
| หมายเลขชุด/รายงาน: | EL05 |
| บทคัดย่อ: | ในงานวิจัยเพื่อศึกษางวงจรจำลองเมมริสเตอร์ ด้วยวงจรขยายทรานคอนดักแตนซ์ ออปแอมป์ ตัวต้านทาน ตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวนำ วงจรจำลองเมมริสเตอร์สามารถทดสอบได้ด้วยการทดลองร่วมกันกับอุปกรณ์แอคทีฟและพาสซีฟ ยิ่งไปกว่านั้นจะพบว่าวงจรขยายทรานคอนดักแตนซ์ถูกนำมาใช้เพื่อปรับกระแสไฟฟ้าด้วยกระบวนการทางอิเล็กทรอนิกส์โดยใช้วงจรสายพานกระแส จากผลของการจำลองวงจรเมมริสเตอร์ พบว่ามีการลดลงและเพิ่มขึ้นในการเชื่อมต่อในวงจรอนุกรม พบว่ามีคุณสมบัติของฮีสเทอเรซิส (hysteresis) ที่ขึ้นอยู่กับความถี่ และสามารถแสดงการเปลี่ยนค่าของตัวเก็บประจุและความฟลักซฺสนามแม่เหล็ก ผลลัพธ์ที่ได้ของวงจรจำลองเมมรีสเตอร์ด้วย LDR ได้แสดงผลของเมมคาปาซิสเตอร์และเมมอินดักเตอร์ที่โดเมนเวลาของวงจร ด้วยตัวต้านทาน ตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวนำที่ต่อเชื่อมอย่างอนุกรมได้แสดงปรากฏการณ์ทางคุณลักษณะที่เกี่ยวข้องกับหน่วยความจำ |
| รายละเอียด: | - |
| URI: | http://dspace.spu.ac.th/handle/123456789/6609 |
| ISSN: | - |
| ปรากฏในกลุ่มข้อมูล: | EGI-05. บทความที่ประชุมวิชาการ (ระดับชาติ) |
รายการทั้งหมดในระบบคิดีได้รับการคุ้มครองลิขสิทธิ์ มีการสงวนสิทธิ์เว้นแต่ที่ระบุไว้เป็นอื่น