DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.spu.ac.th/handle/123456789/6574| Title: | การศึกษาสมบัติของความต้านทานจดจำทางโดเมนเวลาด้วยวงจรอนุกรม RLC |
| Other Titles: | - |
| Authors: | อภิชฎา ทองรักษ์ สัญญา คูณขาว กร พวงนาค ปรากฤต เหลี่ยงประดิษฐ์ วันชัย จันไกรผล |
| Keywords: | วงจรขยายทรานคอนดักแตนซ์ ประจุไฟฟ้า ฮีสเทอเรซิส |
| Issue Date: | 30-October-2562 |
| Publisher: | การประชุมวิชาการทางวิศวกรรมไฟฟ้า ครั้งที่ 42 |
| Citation: | - |
| Series/Report no.: | - |
| Abstract: | งานวิจัยนี้เพื่อศึกษาวงจรจำลองเมมรีสเตอร์ วงจรขยายทรานคอนดักแตนซ์ วงจรออปแอมป์ ตัวต้านทาน ตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวนำ วงจรจำลองเมมรีสเตอร์สามารถทดสอบที่ย่านความถี่ต่ำ 3.5 Hz - 30 Hz สัญญาณอินพุทแบบไซนด์ 5 Vp-p ด้วยการทดลองร่วมกับอุปกรณ์แอคทีฟและพาสซีฟ ยิ่งไปกว่านั้นจะพบว่า วงจรขยายทรานคอนดักแตนซ์ สามารถปรับกระแสไฟฟ้าด้วยกระบวนการทางอิเล็กทรอนิกส์ โดยใช้วงจรสายพานกระแส จากผลของการจำลองวงจรจำลองเมมรีสเตอร์พบว่ามีการลดลงและเพิ่มขึ้นด้วยการเชื่อมต่อกับอุปกรณ์พาสซีฟ พบว่ามีคุณสมบัติของฮีสเทอรีซิสที่ขึ้นอยู่กับความถี่ และสามารถแสดงการเปลี่ยนค่าของตัวเก็บประจุและความฟลักซ์สนามแม่เหล็ก ผลที่ได้ของวงจรจำลองเมมรีสเตอร์ด้วย LDR แสดงพฤติกรรมของเมมคาปาซิเตอร์และเมมอินดักเตอร์ที่โดเมนเวลา นอกจากนี้ด้วยการเชื่อมต่อตัวต้านทาน ตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวนำอย่างอนุกรมได้แสดงคุณลักษณะฮีสเทอรีซีสของระหว่างแรงดันอินพุทกับกระแสบางส่วนที่ไหลเข้าไปในวงจรการจดจำในการเป็นหน่วยความจำ |
| Description: | - |
| URI: | http://dspace.spu.ac.th/handle/123456789/6574 |
| ISSN: | - |
| Appears in Collections: | EGI-05. บทความที่ประชุมวิชาการ (ระดับชาติ) |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 6. บทความ 2 - การศึกษาสมบัติของความต้านทานจดจำทางโดเมนเวลาด้วยวงจรอนุกรม RLC.pdf | 868.62 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.