Photocurrent enhancement in silicon-based planar metal-semiconductor-metal

Abstract

ผลการเพิ่มขึ้นของกระแสแสงแบบตรง (DC photocurrent) ซึ่งเป็น สมบัติของตัวตรวจจับทางแสงโครงสร้างเชิงราบ โลหะ-สารกึ่งตัวนำ-โลหะ จากรอยต่อแบบช็อตต์คีย์สองรอยต่อเชิงราบระหว่างโมลิบดีนัม/ซิลิคอน (Mo/Si) บนฐานรองซิลิคอนชนิดเอ็น (n-type)มีสภาพความต้านทาน 9-12 Ωcm โดยมีระยะห่างระหว่างขั้วไฟฟ้าเท่ากับ 20 μm การวัดสมบัติระหว่าง กระแสกับแรงดันภายใต้ความเข้มแสงย่าน visible light แสดงถึงการเพิ่มขึ้น ในกระแสแสงอย่างรวดเร็วที่แรงดันไบอัสสูง และผลจากสมบัติของกระแส กับแรงดันที่ขึ้นกับอุณหภูมิ (Temperature dependence) และการวัดสัญญาณ รบกวน พบว่ากระแสแสงนั้นมีการเพิ่มขึ้นเนื่องจากผลของการทวีคูณแบบอะ วาลันซ์ จากประจุพาหะที่เกิดขึ้นที่ภายในรอยต่อช็อตต์คีย์ที่ขั้วไฟฟ้าด้านที่ ได้รับการไบอัสย้อนกลับ นอกจากนั้นจากการทดสอบวัดการตอบสนองของ สัญญาณไฟฟ้าแบบสลับที่ความถี่ต่ำ 10kHz และ 50kHz พบว่าเฟคเตอร์ของ การทวีคูณ(Multiplication factor) มีมากเกินกว่า 100 ที่ความถี่ 10kHz และ 30 ที่ความถี่ 50kHz