Photocurrent enhancement in silicon-based planar metal-semiconductor-metal
กำลังโหลด...
วันที่
2549-11-09
ผู้เขียน
ชื่อวารสาร
วารสาร ISSN
ชื่อหนังสือ
สำนักพิมพ์
เชิงนามธรรม
ผลการเพิ่มขึ้นของกระแสแสงแบบตรง (DC photocurrent) ซึ่งเป็น
สมบัติของตัวตรวจจับทางแสงโครงสร้างเชิงราบ โลหะ-สารกึ่งตัวนำ-โลหะ
จากรอยต่อแบบช็อตต์คีย์สองรอยต่อเชิงราบระหว่างโมลิบดีนัม/ซิลิคอน
(Mo/Si) บนฐานรองซิลิคอนชนิดเอ็น (n-type)มีสภาพความต้านทาน 9-12
Ωcm โดยมีระยะห่างระหว่างขั้วไฟฟ้าเท่ากับ 20 μm การวัดสมบัติระหว่าง
กระแสกับแรงดันภายใต้ความเข้มแสงย่าน visible light แสดงถึงการเพิ่มขึ้น
ในกระแสแสงอย่างรวดเร็วที่แรงดันไบอัสสูง และผลจากสมบัติของกระแส
กับแรงดันที่ขึ้นกับอุณหภูมิ (Temperature dependence) และการวัดสัญญาณ
รบกวน พบว่ากระแสแสงนั้นมีการเพิ่มขึ้นเนื่องจากผลของการทวีคูณแบบอะ
วาลันซ์ จากประจุพาหะที่เกิดขึ้นที่ภายในรอยต่อช็อตต์คีย์ที่ขั้วไฟฟ้าด้านที่
ได้รับการไบอัสย้อนกลับ นอกจากนั้นจากการทดสอบวัดการตอบสนองของ
สัญญาณไฟฟ้าแบบสลับที่ความถี่ต่ำ 10kHz และ 50kHz พบว่าเฟคเตอร์ของ
การทวีคูณ(Multiplication factor) มีมากเกินกว่า 100 ที่ความถี่ 10kHz และ 30
ที่ความถี่ 50kHz
คำอธิบาย
คำหลัก
photonics