Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.spu.ac.th/handle/123456789/6579
Title: | วงจรจำลองความต้านทานจดจำโดยใช้ความต้านทานปรับค่าได้ทางแสง |
Authors: | สัญญา คูณขาว อภิชฎา ทองรักษ์ กร พวงนาค ปรากฤต เหลี่ยงประดิษฐ์ วันชัย จันไกรผล |
Keywords: | หน่วยความจำ ประจุไฟฟ้า ฟลักซ์สนามแม่เหล็ก ฮีสเทอเรซิส |
Issue Date: | 30-October-2562 |
Publisher: | การประชุมวิชาการทางวิศวกรรมไฟฟ้า ครั้งที่ 42 |
Citation: | - |
Series/Report no.: | - |
Abstract: | จากพื้นฐานของไฟฟ้าที่มีอุปกรณ์แบบสองขั้วไฟฟ้า ที่เป็นพาสซีฟ 3 ชนิดได้แก่ ตัวต้านทาน ตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวซึ่งได้มีการวิเคราะห์ อย่างต่อเนื่อง ต่อมาในปี 1971 ได้มีการนำเสนอและอธิบายถึงอุปกรณ์ ชนิดใหม่ คือเมมรีสเตอร์ที่สร้างจากสารกึ่งตัวนำที่มีความสัมพันธ์ ระหว่างฟลักซ์แม่เหล็กและประจุไฟฟ้า งานวิจัยนี้มีวัตถุประสงค์เพื่อ ศึกษาการจำลองวงจรเมมรีสเตอร์ ด้วยพื้นฐานการควบคุมฟลักซ์เพื่อ ทราบแรงดันที่สัมพันธ์กันกับฟลักซ์สนามแม่เหล็ก โดยวงจรจำลองที่นำเสนอประกอบด้วย วงจรขยายทรานคอนดักแตนซ์ วงจรออปแอมป์ ตัวต้านทาน ตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวนำ จากผลของวงจรจำลองเมมรีสเตอร์พบว่ามีการลดลงและเพิ่มขึ้นของกระแส ด้วยการเชื่อมต่อในวงจรอนุกรม ยิ่งไปกว่านั้นระดับกระแสกับแรงดันปรากฎผลของฮีสเทอรีซิส ที่ขึ้นอยู่กับความถี่และระดับแรงดันอินพุทที่เป็นสถานะของการเปิดและปิด ในลักษณะโดเมนเวลาโดยการแสดงถึงลักษณะของสถานะหน่วยความจำ |
Description: | - |
URI: | http://dspace.spu.ac.th/handle/123456789/6579 |
ISSN: | - |
Appears in Collections: | EGI-05. บทความที่ประชุมวิชาการ (ระดับชาติ) |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
วงจรจำลองความต้านทานจดจำโดยใช้ความต้านทานปรับค่าได้ทางแสง.pdf | 925.7 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.