กรุณาใช้ตัวระบุนี้เพื่ออ้างอิงหรือเชื่อมต่อรายการนี้:
http://dspace.spu.ac.th/handle/123456789/6579
ชื่อเรื่อง: | วงจรจำลองความต้านทานจดจำโดยใช้ความต้านทานปรับค่าได้ทางแสง |
ผู้แต่ง/ผู้ร่วมงาน: | สัญญา คูณขาว อภิชฎา ทองรักษ์ กร พวงนาค ปรากฤต เหลี่ยงประดิษฐ์ วันชัย จันไกรผล |
คำสำคัญ: | หน่วยความจำ ประจุไฟฟ้า ฟลักซ์สนามแม่เหล็ก ฮีสเทอเรซิส |
วันที่เผยแพร่: | 30-ตุลาคม-2562 |
สำนักพิมพ์: | การประชุมวิชาการทางวิศวกรรมไฟฟ้า ครั้งที่ 42 |
แหล่งอ้างอิง: | - |
หมายเลขชุด/รายงาน: | - |
บทคัดย่อ: | จากพื้นฐานของไฟฟ้าที่มีอุปกรณ์แบบสองขั้วไฟฟ้า ที่เป็นพาสซีฟ 3 ชนิดได้แก่ ตัวต้านทาน ตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวซึ่งได้มีการวิเคราะห์ อย่างต่อเนื่อง ต่อมาในปี 1971 ได้มีการนำเสนอและอธิบายถึงอุปกรณ์ ชนิดใหม่ คือเมมรีสเตอร์ที่สร้างจากสารกึ่งตัวนำที่มีความสัมพันธ์ ระหว่างฟลักซ์แม่เหล็กและประจุไฟฟ้า งานวิจัยนี้มีวัตถุประสงค์เพื่อ ศึกษาการจำลองวงจรเมมรีสเตอร์ ด้วยพื้นฐานการควบคุมฟลักซ์เพื่อ ทราบแรงดันที่สัมพันธ์กันกับฟลักซ์สนามแม่เหล็ก โดยวงจรจำลองที่นำเสนอประกอบด้วย วงจรขยายทรานคอนดักแตนซ์ วงจรออปแอมป์ ตัวต้านทาน ตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวนำ จากผลของวงจรจำลองเมมรีสเตอร์พบว่ามีการลดลงและเพิ่มขึ้นของกระแส ด้วยการเชื่อมต่อในวงจรอนุกรม ยิ่งไปกว่านั้นระดับกระแสกับแรงดันปรากฎผลของฮีสเทอรีซิส ที่ขึ้นอยู่กับความถี่และระดับแรงดันอินพุทที่เป็นสถานะของการเปิดและปิด ในลักษณะโดเมนเวลาโดยการแสดงถึงลักษณะของสถานะหน่วยความจำ |
รายละเอียด: | - |
URI: | http://dspace.spu.ac.th/handle/123456789/6579 |
ISSN: | - |
ปรากฏในกลุ่มข้อมูล: | EGI-05. บทความที่ประชุมวิชาการ (ระดับชาติ) |
แฟ้มในรายการข้อมูลนี้:
แฟ้ม | รายละเอียด | ขนาด | รูปแบบ | |
---|---|---|---|---|
วงจรจำลองความต้านทานจดจำโดยใช้ความต้านทานปรับค่าได้ทางแสง.pdf | 925.7 kB | Adobe PDF | ดู/เปิด |
รายการทั้งหมดในระบบคิดีได้รับการคุ้มครองลิขสิทธิ์ มีการสงวนสิทธิ์เว้นแต่ที่ระบุไว้เป็นอื่น