DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.spu.ac.th/handle/123456789/6609| Title: | การศึกษาสมบัติของความต้านทานจดจำทางโดเมนเวลาด้วยวงจรอนุกรม RLC |
| Other Titles: | Study on Memristor Emulator on Time domain based on RLC Circuits |
| Authors: | อภิชฎา ทองรักษ์ สัญญา คูณขาว ปรากฤต เหลี่ยงประดิษฐ์ วันชัย จันไกรผล |
| Keywords: | วงจรขยายทรานคอนดักแตนซ์ ฮีสเทอเรซิส ประจุไฟฟ้า |
| Issue Date: | 30-October-2019 |
| Publisher: | การประชุมวิชาการทางวิศวกรรมไฟฟ้า ครั้งที่42 |
| Citation: | สัญญา คูณขาว อภิชฎา ทองรักษ์ ปรากฤต เหลี่ยงประดิษฐ์ วันชัย จันไกรผล. (2562). การศึกษาสมบัติของความต้านทานจดจำทางโดเมนเวลาด้วยวงจรอนุกรม RLC. ใน การ ประชุมวิชาการทางวิศวกรรมไฟฟ้า ครั้งที่42. จังหวัดนครราชสีมา |
| Series/Report no.: | EL05 |
| Abstract: | ในงานวิจัยเพื่อศึกษางวงจรจำลองเมมริสเตอร์ ด้วยวงจรขยายทรานคอนดักแตนซ์ ออปแอมป์ ตัวต้านทาน ตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวนำ วงจรจำลองเมมริสเตอร์สามารถทดสอบได้ด้วยการทดลองร่วมกันกับอุปกรณ์แอคทีฟและพาสซีฟ ยิ่งไปกว่านั้นจะพบว่าวงจรขยายทรานคอนดักแตนซ์ถูกนำมาใช้เพื่อปรับกระแสไฟฟ้าด้วยกระบวนการทางอิเล็กทรอนิกส์โดยใช้วงจรสายพานกระแส จากผลของการจำลองวงจรเมมริสเตอร์ พบว่ามีการลดลงและเพิ่มขึ้นในการเชื่อมต่อในวงจรอนุกรม พบว่ามีคุณสมบัติของฮีสเทอเรซิส (hysteresis) ที่ขึ้นอยู่กับความถี่ และสามารถแสดงการเปลี่ยนค่าของตัวเก็บประจุและความฟลักซฺสนามแม่เหล็ก ผลลัพธ์ที่ได้ของวงจรจำลองเมมรีสเตอร์ด้วย LDR ได้แสดงผลของเมมคาปาซิสเตอร์และเมมอินดักเตอร์ที่โดเมนเวลาของวงจร ด้วยตัวต้านทาน ตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวนำที่ต่อเชื่อมอย่างอนุกรมได้แสดงปรากฏการณ์ทางคุณลักษณะที่เกี่ยวข้องกับหน่วยความจำ |
| Description: | - |
| URI: | http://dspace.spu.ac.th/handle/123456789/6609 |
| ISSN: | - |
| Appears in Collections: | EGI-05. บทความที่ประชุมวิชาการ (ระดับชาติ) |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.