วงจรจำลองความต้านทานจดจำโดยใช้ความต้านทานปรับค่าได้ทางแสง

dc.contributor.authorสัญญา คูณขาวth_TH
dc.contributor.authorอภิชฎา ทองรักษ์th_TH
dc.contributor.authorกร พวงนาคth_TH
dc.contributor.authorปรากฤต เหลี่ยงประดิษฐ์th_TH
dc.contributor.authorวันชัย จันไกรผลth_TH
dc.date.accessioned2563-02-14T10:11:14Z
dc.date.available2020-02-14T10:11:14Z
dc.date.issued2562-10-30
dc.description-th_TH
dc.description.abstractจากพื้นฐานของไฟฟ้าที่มีอุปกรณ์แบบสองขั้วไฟฟ้า ที่เป็นพาสซีฟ 3 ชนิดได้แก่ ตัวต้านทาน ตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวซึ่งได้มีการวิเคราะห์ อย่างต่อเนื่อง ต่อมาในปี 1971 ได้มีการนำเสนอและอธิบายถึงอุปกรณ์ ชนิดใหม่ คือเมมรีสเตอร์ที่สร้างจากสารกึ่งตัวนำที่มีความสัมพันธ์ ระหว่างฟลักซ์แม่เหล็กและประจุไฟฟ้า งานวิจัยนี้มีวัตถุประสงค์เพื่อ ศึกษาการจำลองวงจรเมมรีสเตอร์ ด้วยพื้นฐานการควบคุมฟลักซ์เพื่อ ทราบแรงดันที่สัมพันธ์กันกับฟลักซ์สนามแม่เหล็ก โดยวงจรจำลองที่นำเสนอประกอบด้วย วงจรขยายทรานคอนดักแตนซ์ วงจรออปแอมป์ ตัวต้านทาน ตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวนำ จากผลของวงจรจำลองเมมรีสเตอร์พบว่ามีการลดลงและเพิ่มขึ้นของกระแส ด้วยการเชื่อมต่อในวงจรอนุกรม ยิ่งไปกว่านั้นระดับกระแสกับแรงดันปรากฎผลของฮีสเทอรีซิส ที่ขึ้นอยู่กับความถี่และระดับแรงดันอินพุทที่เป็นสถานะของการเปิดและปิด ในลักษณะโดเมนเวลาโดยการแสดงถึงลักษณะของสถานะหน่วยความจำth_TH
dc.description.sponsorship-th_TH
dc.identifier.citation-th_TH
dc.identifier.issn-
dc.identifier.urihttps://dspace.spu.ac.th/handle/123456789/6579
dc.language.isothth_TH
dc.publisherการประชุมวิชาการทางวิศวกรรมไฟฟ้า ครั้งที่ 42th_TH
dc.relation.ispartofseries-th_TH
dc.subjectหน่วยความจำth_TH
dc.subjectประจุไฟฟ้าth_TH
dc.subjectฟลักซ์สนามแม่เหล็กth_TH
dc.subjectฮีสเทอเรซิสth_TH
dc.titleวงจรจำลองความต้านทานจดจำโดยใช้ความต้านทานปรับค่าได้ทางแสงth_TH
dc.typeArticleth_TH

ไฟล์

ชุดต้นฉบับ
ตอนนี้กำลังแสดง1 - 1 ของ 1
กำลังโหลด...
รูปภาพขนาดย่อ
ชื่อ:
วงจรจำลองความต้านทานจดจำโดยใช้ความต้านทานปรับค่าได้ทางแสง.pdf
ขนาด:
925.7 KB
รูปแบบ:
Adobe Portable Document Format
มัดใบอนุญาต
ตอนนี้กำลังแสดง1 - 1 ของ 1
ไม่มีรูปขนาดย่อ
ชื่อ:
license.txt
ขนาด:
1.71 KB
รูปแบบ:
Item-specific license agreed upon to submission
คำอธิบาย: