วงจรจำลองความต้านทานจดจำโดยใช้ความต้านทานปรับค่าได้ทางแสง
กำลังโหลด...
วันที่
2562-10-30
ชื่อวารสาร
วารสาร ISSN
ชื่อหนังสือ
สำนักพิมพ์
การประชุมวิชาการทางวิศวกรรมไฟฟ้า ครั้งที่42
เชิงนามธรรม
จากพื้นฐานของไฟฟ้าที่มีอุปกรณ์แบบสองขั้วไฟฟ้า ที่เป็นพาสซีฟ 3 ชนิดได้แก่ ตัวต้านทาน ตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวซึ่งได้มีการวิเคราะห์อย่างต่อเนื่อง ต่อมาในปี 1971 ได้มีการนำเสนอและอธิบายถึงอุปกรณ์ชนิดใหม่ คือเมมรีสเตอร์ที่สร้างจากสารกึ่งตัวนำที่มีความสัมพันธ์ระหว่างฟลักซ์แม่เหล็กและประจุไฟฟ้า งานวิจัยนี้มีวัตถุประสงค์เพื่อศึกษาการจำลองวงจรเมมรีสเตอร์ ด้วยพื้นฐานการควบคุมฟลักซ์เพื่อทราบแรงดันที่สัมพันธ์กันกับฟลักซ์สนามแม่เหล็ก โดยวงจรจำลองที่นำเสนอประกอบด้วย วงจรขยายทรานคอนดักแตนซ์ วงจรออปแอมป์ ตัวต้านทาน ตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวนำ จากผลของวงจรจำลองเมมรีสเตอร์พบว่ามีการลดลงและเพิ่มขึ้นของกระแส ด้วยการเชื่อมต่อในวงจรอนุกรม ยิ่งไปกว่านั้นระดับกระแสกับแรงดันปรากฎผลของฮีสเทอรีซิส ที่ขึ้นอยู่กับความถี่และระดับแรงดันอินพุทที่เป็นสถานะของการเปิดและปิด ในลักษณะโดเมนเวลาโดยการแสดงถึงลักษณะของสถานะหน่วยความจำ
คำอธิบาย
-
คำหลัก
หน่วยความจำ, ฟลักซ์สนามแม่เหล็ก, ประจุไฟฟ้า
การอ้างอิง
สัญญา คูณขาว อภิชฎา ทองรักษ์ ปรากฤต เหลี่ยงประดิษฐ์ วันชัย จันไกรผล. (2562). วงจรจำลองความต้านทานจดจำโดยใช้ความต้านทานปรับค่าได้ทางแสง. ใน การ ประชุมวิชาการทางวิศวกรรมไฟฟ้า ครั้งที่42. จังหวัดนครราชสีมา